三溫區(qū)高溫管式爐三個數字溫度控制器可獨立控制溫度，并可設置30段升降溫程序，溫區(qū)1(加熱區(qū)中心）采用硅碳棒加熱，另外兩個溫區(qū)用硅鑰棒進行加熱，此款三溫區(qū)高溫管式爐可以形成一個溫度梯度，調整三個溫區(qū)的溫度，在熱梯度下制備功能材料，同時也適用于CVD法制作薄膜外延生長。爐體采用雙層殼體結構，并帶有風冷系統(tǒng)，使得殼體的表面溫度小于60度，爐腔的保溫材料采用高純氧化鋁，環(huán)保節(jié)能，可以減少熱量的損失，內爐膛表面涂有高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。

           三溫區(qū)高溫管式爐主要用途：主要應用于高等院校、科研院所、工礦企業(yè)等實驗和小批量生產之用。用于電子陶瓷產品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積（CVD)工藝等。